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　　毛双锁博士长期深耕忆阻器材料与器件领域的前沿研究，具备扎实的理论功底和丰富的科研经验。2024年从福建师范大学物理与能源学院毕业后，他怀揣科研热忱加入我校，迅速融入科研团队，聚焦后摩尔时代集成电路发展瓶颈，开展针对性基础研究，已在Materials Science & Engineering R、Nano Energy、Journal of Colloid and Interface Science、Advanced Electronic Materials等国际知名期刊发表SCI论文40余篇，获中国发明专利授权1项，参与四川省科技厅项目1项，学术成果丰硕。

　　在2025年微纳材料与半导体器件学术研讨会上，毛双锁博士的研究成果《忆阻器中电子—离子耦合作用于寄生效应的协同调控及机理研究》以墙报形式展示并荣获优秀墙报奖，展现了其研究成果的学术价值与行业认可度。其此次获批的国家自然科学基金专项项目，聚焦氧化物忆阻器中寄生电容效应的调控及其机理研究，紧密契合后摩尔时代集成电路技术发展需求，有望为突破存储器件密度限制、推动神经形态计算发展提供重要技术支撑，具有显著的理论意义与应用前景。